OUTLINE

3次元トランジスタ(FinFET)配線に従来材(左)と開発材(右)を用いたときの配線抵抗の比較
所属
知能デバイス材料学コース・ナノ材料物性学講座・極限材料物性学分野
主な研究内容
異種材料の接合界面や金属内部に存在する結晶界面をナノレベルで制御し、デバイスの熱的・力学的・電気的特性および信頼性向上に関する研究。
研究概要
電子デバイスや太陽電池の 配線・電極材料の開発、省エネルギー不揮発性メモリとしての相変化材料の開発、軽量構造材料としての合金の変形・破壊機構解明および新規機能の開発、切削工具に用いる硬質膜の組織制御による高性能化などに取り組む。
研究の将来展望
先端半導体デバイスに関しては、More MooreとMore than Mooreの両方を見据えて新規材料とプロセスの開発を行う。相変化材料は現状の不揮発性メモリを凌駕する省エネ、高速、長寿命を兼ね備えた材料開発とその実用化に取り組む。硬質被膜は操業環境下での耐摩耗性と低摩擦係数を有する材料開発に取り組む。軽量構造材料は、MgだけでなくAl合金などにおいても超弾性などの新規機能の発現を目指して研究を実施する。
「工学部百年史(2020年発行予定)」から転載(一部改変)