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実験装置一覧
| 分類 | 装置名 | 仕様概要 |
| RF計測 | ネットワークアナライザー | HP：～40GHｚ＋100GHｚ |
| RF計測 | スペクトラムアナライザー | 100GHｚ with mixer |
| RF計測 | スペクトラムアナライザー | 1000GHｚ with mixer |
| RF計測 | ディジタルオシロ | 1GHｚ |
| RF計測 | ディジタルオシロ | |
| RF計測 | サンプリングオシロ | |
| 形状観察 | 走査電子顕微鏡 | ＪＥＯＬ，ＬａＢ６，ＥＤＸ分析型ＳＥＭ |
| 形状観察 | 走査電子顕微鏡 | ＪＥＯＬ，ＬａＢ６，低電圧ＳＥＭ |
| 形状観察 | 走査電子顕微鏡 | ＨＩＴＡＣＨＩ Ｈ-5000，インレンズ型高解像度ＦＥ－ＳＥＭ |
| 形状観察 | 透過電子顕微鏡 | ＪＥＯＬ，ＬａＢ６，300ｋＶＴＥＭ，ＥＤＸ，ＣＣＤ |
| 計測 | EBテスター | アドバンテスト |
| 形状計測 | 接触式段差計 | デックタック |
| 形状計測 | 接触式段差計 | αステップ |
| 結晶性計測 | 高精度Ｘ線回折計 | ４結晶Geモノクロ，ＣｕＫα1線，Philips MRD，逆格子空間マッピング |
| 結晶性計測 | Ｘ線トポグラフ装置 | リガクＲＵ-200ローターフレックスＸ線源，6インチトポグラフ，２結晶配置トポ（反射）Ｃｕ，Ｍｏターゲット，反射・透過トポグラフ，２００ｍＡ-60ｋＶ |
| 元素分析 | 二次イオン質量分析計 | static TOF-SIMS, Cameka TOF-SIMS IV |
| 元素分析 | 二次イオン質量分析計（学科） | ダイナミックSIMS，PHI-6600型，Cs・酸素ビーム |
| 製造装置 | イオン注入装置 | 200ｋV |
| 製造装置 | ステッパー | ｇラインステッパー・パターンジェネレーター：日本精鋼TZ |
| 製造装置 | ステッパー | ｇラインステッパー・パターンジェネレーター：日本精鋼TZ |
| 製造装置 | マスクアライナー | ミカサ |
| 製造装置 | マスクアライナー | ＮＩＫＯＮ |
| 製造装置 | マスクアライナー | 両面アライナー |
| 製造装置 | ECRエッチャー | アネルバ2.45GHｚ |
| 製造装置 | RIEエッチャー | 自作：13.56MHｚ |
| 製造装置 | RIEエッチャー | 自作：13.56MHｚ |
| 製造装置 | TEOS CVD | 自作 |
| 製造装置 | MLE1 | 初代機：クロライド系 |
| 製造装置 | MLE2 | InP系：RAS |
| 製造装置 | MLE3 | GaAs系デバイス |
| 製造装置 | MLE4 | |
| 製造装置 | MLE5 | GaAs系QMS |
| 製造装置 | MLE6 | GaAs系ドーピング基礎実験系 |
| 製造装置 | MLE7 | GaAs系，EB蒸着系 |
| 製造装置 | MLE8 | with XPS |
| 製造装置 | MLE9 | wCVD,GaAs系 |
| 製造装置 | MLE10 | RHEED,オージェ |
| 製造装置 | MLE11 | GaAs系デバイス |
| 製造装置 | LPMOCVD | AlGaAs系MIS |
| 製造装置 | ガスエッチング | 光励起ガスエッチング |
| 製造装置 | ガスエッチング | 光励起ガスエッチング |
| 製造装置 | ウェット酸化炉 | |
| 製造装置 | ドライ酸化・ドライブ炉 | |
| 製造装置 | 高純度Siエピタキシ | SiCl4：RF加熱 |
| 製造装置 | チッカ膜CVD | RF加熱 |
| 製造装置 | EB蒸着 | |
| 製造装置 | チッカ膜CVD | リモートプラズマ |
| 製造装置 | 抵抗加熱蒸着 | GaAs系 |
| 製造装置 | 抵抗加熱蒸着 | Ｓｉ系 |
| 製造装置 | 抵抗加熱蒸着 | なんでも |
| 製造装置 | シンター炉 | Si系 |
| 製造装置 | シンター炉 | 化合物系 |
| 電気特性計測 | ホール効果測定装置 | ＤＣ－ＡＣホール，20-300Ｋ，東陽テクニカRESITEST8300 |
| 電気特性計測 | ホール効果測定装置 | ＤＣホール，77，300Ｋ，東陽テクニカRESITEST8100 |
| 電気特性計測 | ホール効果測定装置 | ＤＣホール，77，300Ｋ，JEOL（古い，完全手動） |
| 電気特性計測 | ホール効果測定装置 | ＤＣホール，77，300Ｋ，磁場固定（永久磁石） |
| 電気特性計測 | IV測定装置 | 15-320K，自動計測 |
| 電気特性計測 | CV測定装置 | 自動計測，マッピング |
| 電気特性計測 | インピーダンス測定 | 自動計測 |
| 薄膜計測 | エリプソメーター | 自動エリプソメーター，マッピング |
| 光計測 | EL/PL測定装置 | 赤外～遠赤外領域の発光分光測定：波長領域2.1～22ミクロン・HgCdTe：PC検出器・25ｃｍグレーティングモノクロ・15-300K |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．２３－１．６ｅＶ・6.3Ｋ-（300Ｋ）・ＰＥ98プリズムモノクロ |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．1－3.2ｅＶ・15Ｋ-300Ｋ・50ｃｍグレーティングモノクロ |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．4－3.2ｅＶ・15Ｋ-300Ｋ・ダブルプリズムモノクロ |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．4－3.2ｅＶ・15Ｋ-300Ｋ・25ｃｍグレーティングモノクロ |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．4－3.2ｅＶ・15Ｋ-300Ｋ・25ｃｍグレーティングモノクロ |
| 光計測 | フォトキャパシタンス測定装置 | ディープレベル計測：０．4－3.2ｅＶ・4.2Ｋ-300Ｋ・50ｃｍグレーティングモノクロ |
| 光計測 | ＰＬ・ＥＬ測定装置 | 近赤外～可視ＰＬ，4.2，77～300Ｋ，スペックス1ｍグレーティングモノクロ・Ｇｅ，Ｓ1，Ｓ20ディテクター，Ａｒ＋レーザ励起源 |
| 光計測 | ＰＬ測定装置 | 可視～紫外ＰＬ，77～300Ｋ，50ｃｍグレーティングモノクロ，Ｓ20ディテクター，Ｈｅ－Ｃｄレーザ励起源 |
| 光計測 | ＰＬ測定装置 | 近赤外～可視ＰＬ，77-300Ｋ，25ｃｍグレーティングモノクロ，Ｓ20ディテクター，ＧａＡｓディテクター，Ａｒ+レーザ励起源 |
| 微細加工・観察 | ＦＩＢ | マイクリオン2000型ＦＩＢ，二次電子像 |
| 表面観察 | 光学顕微鏡 | 明視野・暗視野・ノマルスキー・位相差，オリンパスＢＸ-60・ポラロイド |
| 表面観察 | 光学顕微鏡 | 明視野・暗視野・ノマルスキー・位相差，オリンパスＢＸ-60・ＣＣＤ |
| 表面観察 | 光学顕微鏡 | 明視野・暗視野・ノマルスキー・位相差，ライヘルト倒立型金属顕微鏡・ＣＣＤ |
| 表面観察 | 光学顕微鏡 | 明視野・暗視野・ニコン・マスク室内・ポラロイド |
| レーザ | He-Ne | |
| レーザ | Cd-Ne | 紫外 |
| レーザ | Ar | 可視（ＣＷ－ＴｉＳａ励起用） |
| レーザ | YAG | 赤外 |
| レーザ | YAG | 赤外（Pulse－TiSa励起用） |
| レーザ | YAG | 赤外（OPO励起用） |
| レーザ | OPO | 光パラメトリック発振 |
| レーザ | Ti-ｻﾌｧｲｱ | 近赤（ＣＷ） |
| レーザ | Ti-ｻﾌｧｲｱ | 近赤（Ｐｕｌｓｅ，modeloｃｋ） |
| レーザ | 波長可変LD | 近赤（CW） |
| レーザ | 波長可変LD | 近赤（CW） |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | InP系ヘテロ |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＩｎＰ系高純度 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＩｎＰ系 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＰｂＴｅ系 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＰｂＴｅ系 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＧａＰ系 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＧａＰ系 |
| 製造装置 | 液相エピタキシャル成長装置 | ＧａＡｌＡｓ系 |
| 製造装置 | 常圧ＭＯＣＶＤ | ＺｎＳｅ系 |
| 製造装置 | 高圧バルク炉 | ＩｎＰ系 |
| 製造装置 | 常圧バルク炉 | ＰｂＴｅ系 |
| 製造装置 | 常圧バルク炉 | ＩｎＰ系 |